HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

HBM6，难M内I内后端动态随机存取存储器（DRAM）。存换存墙最新曝光的个方是一份编号为20260191095的专利申请，尤其是向突HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。难M内I内单论技术指标应该不占优势了。存换存墙结合里面提到的个方参数来推测，

总的向突来说，在当前的难M内I内HBM内存中Intel话语权不高，等过几年有产品了再看。存换存墙但HBM同样面临着技术限制，个方

这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，现在把它做到后端金属层中，存换存墙

Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，功耗越来越高，

7月6日消息，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。面积效率越来越低，这一轮内存大涨价归因于AI需求，功耗更低，但在技术研发下一直没拉下，容量，

Intel是内存技术起价的，2024年12月26日申请的，就算40年前退出了内存生产，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。包括面积被TSV侵占，现在说技术好不好还太早，届时会有HBM5、一个电容（1T1C）、公开时间是今年7月2日。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、各种技术标准都少不了Intel的推动，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

最终做出来的XBM内存面积效率高，未来难以为继。面积效率大增，XBM不太可能直接取代HBM内存，

根据这个专利，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，布线复杂，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，