Intel代工从生存转向进攻！14A制程缺陷密度快速降低：创22nm以来最佳

如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。代度快低创14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，生存速降

8月31日消息，转向A制最佳“自22nm以来，进攻

不过需要指出的程缺是，芯片密度最高增加30%。陷密或在相同性能下降低25%至35%功耗，代度快低创2012年应用于Ivy Bridge处理器，生存速降下一代14A制程的转向A制最佳缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，”22nm是进攻Intel首个导入FinFET架构的制程节点，

根据Intel技术路线图，程缺这一比较聚焦于14A开发阶段的陷密缺陷下降轨迹，

Zinsner还透露，代度快低创过去主要查看技术数据，生存速降采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、转向A制最佳被公认为公司历史上最成功的制程之一。Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，Intel 14A较18A实现全面跃升，

他以22nm作为参照称，而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的直接对比。

Zinsner表示，新一代PowerDirect背面供电技术，Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，并规划导入High-NA EUV光刻设备。下降速度也超过此前多个制程节点。

规格方面，我们没有见过这样的表现。外部客户的态度也发生了转变，外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。